强元芯

摘要： 编辑-Z TW8825-LA1-CR在单个封装中集成了创建多用途车载LCD显示系统所需的许多功能。它集成了高质量的2D梳状NTSC/PAL/SECAM视频解码器、三重高速RGB ADC、高质量缩放器、多功能OSD和高性能MCU。TW8825-LA1-CR其图像视频处理能力包括任意缩放、全景缩放、图像 阅读全文

摘要： 编辑-Z TW9992AT-NA1-GE是一款低功耗NTSC/PAL模拟视频解码器，专为汽车应用而设计。它支持单端、差分和伪差分复合视频输入。集成了对电池短路和对地短路检测，先进的图像增强功能，如可编程的自动对比度调整（ACA）和MIPI-CSI2输出接口，使TW9992AT-NA1-GE成为要求苛 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI低压MOS管AO3415参数： 型号：AO3415 漏极-源极电压（VDS）：20V 栅源电压（VGS）：8V 漏极电流（ID）：4A 功耗（PD）：1.4W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ 二极管正向电压（VSD）：1 阅读全文

摘要： 编辑-Z AO3400在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为28mΩ，是一款N沟道低压MOS管。AO3400的最大脉冲正向电流ISM为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400功耗（PD）为1.4W。AO3400的电性 阅读全文

摘要： 编辑-Z SI2302在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为72mΩ，是一款N沟道低压MOS管。SI2302的最大脉冲正向电流ISM为10A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。SI2302功耗（PD）为1.25W。SI2302的电 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI低压MOS管SI2301参数： 型号：SI2301 漏极-源极电压（VDS）：20V 栅源电压（VGS）：8V 漏极电流（ID）：2.3A 功耗（PD）：1.25W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ 二极管正向电压（VS 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管20N65参数： 型号：20N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极管正向电压（VSD） 阅读全文

摘要： 编辑-Z 16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.55Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗（PD）为70W。16N65的电性参数是： 阅读全文

摘要： 编辑-Z 12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗（PD）为140W。12N65的电性参数 阅读全文

摘要： 编辑-Z ASEMI高压MOS管10N65参数： 型号：10N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：10A 功耗（PD）：65W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.9Ω 二极管正向电压（VSD）：1 阅读全文