摘要：
编辑-Z 摘要：本文主要介绍IKW25N120T2功率晶体管的特点、应用领域、性能参数以及选型建议。 1、IKW25N120T2的特点 IKW25N120T2是一款N沟道MOSFET功率晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等特点。此外，它还具有过温保护、过电流保护等功能，能够保证设备的安全 阅读全文
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编辑-Z IMBF170R1K0M1参数： 漏源电压：1700V 直流漏极电流：5.2A 功率耗散：68W 工作结温：-55~175℃ 储存温度：-55~150℃ 漏极源导通状态电阻：1000mΩ 栅极-源极阈值电压：4.5V 输入电容：275pF MOS管IMBF170R1K0M1是一款高性能的N 阅读全文
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编辑-Z IPA50R190CE参数描述： 型号：IPA50R190CE 持续漏极电流：24.8A 脉冲漏极电流：63A 栅极-源极电压：20V 功耗：32W 操作和储存温度：-40~150℃ 连续二极管正向电流：8.1A 漏源击穿电压：500V 栅极阈值电压：3V 零栅极电压漏极电流：1uA 漏极 阅读全文
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编辑-Z 单向可控硅BT169D参数： 型号：BT169D 断态重复峰值电压VDRM：600V 平均通电电流IT(AV)：0.6A R.M.S通电电流IT(RMS)：0.8A 通态浪涌电流ITSM：10A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值门功率耗散PGM：0.5W 工作接点温度Tj：-40~ 阅读全文
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编辑-Z 本文主要介绍了可控硅BT169的工作原理及其在各个领域的用。首先，我们将详细阐述可控硅BT169的工作原理，包括结构特点、工作过程等；其次，我们将探讨可控硅BT169在家用电器、工业控制、电力电子等领域的应用。 1、可控硅BT169的工作原理 可控硅BT169是一种三端双向可控硅，具有结构 阅读全文
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编辑-Z 单向可控硅BT151参数： 型号：BT151 存储接点温度范围Tstg：-40~150℃ 工作接点温度范围Tj：-40~125℃ 断态重复峰值电压VDRM：650V 重复峰值反向电压VRRM：650V RMS导通电流IT(RMS)：12A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：120A 峰值栅极 阅读全文
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编辑-Z 本文将详细介绍可控硅BT137的性能特点、应用领域以及购买时需要注意的事项，帮助您更好地了解和选择BT137可控硅。 一、BT137可控硅简介 可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端半导体器件，具有高功率、高压、高温等优点，广泛应用于各 阅读全文
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编辑-Z 长电可控硅BT136参数： 型号：BT136 RMS通态电流IT(RMS)：6A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：25A 峰值栅极电流IGM：2A 平均栅极功耗PG(AV)：0.5W 存储接点温度范围Tstg：-40 to +150℃ 工作接点温度范围Tj：-40 to +125℃ 额定重 阅读全文
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编辑-Z 本文将对可控硅BT134的工作原理及应用领域进行详细阐述。首先，我们将介绍可控硅BT134的基本概念和工作原理；其次，我们将探讨可控硅BT134在电力电子领域的应用；接着，我们将分析可控硅BT134在家用电器中的应用；最后，我们将讨论可控硅BT134在工业自动化领域的应用。 1、可控硅BT 阅读全文
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编辑-Z 韦达可控硅2P4M参数： 型号：2P4M 断态重复峰值电压VDRM：600V 重复峰值反向电压VRRM：600V RMS导通电流IT(RMS)：2A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值栅极功率PGM：0.5W IGT：50μA VGT：0.6V 阅读全文