摘要：
编辑-Z 韦达可控硅2P4M参数： 型号：2P4M 断态重复峰值电压VDRM：600V 重复峰值反向电压VRRM：600V RMS导通电流IT(RMS)：2A 非重复浪涌峰值导通电流ITSM：20A 平均栅极功耗PG(AV)：0.1W 峰值栅极功率PGM：0.5W IGT：50μA VGT：0.6V 阅读全文
摘要：
编辑-Z 韩景元可控硅C106M参数： 型号：C106M 断态重复峰值电压VDRM：600V 通态电流IT(RMS)：4A 通态浪涌电流ITSM：30A 平均栅极功耗PG(AV)：0.2W 峰值门功率耗散PGM：1W 工作接点温度Tj：-40~125℃ 储存温度TSTG：-40~150℃ 断态重复峰 阅读全文