摘要: 编辑-Z IPB072N15N3G参数描述: 型号:IPB072N15N3G 持续漏极电流:100A 脉冲漏极电流:400A 雪崩能量,单脉冲:780 mJ 栅极-源极电压:±20V 功率耗散:300W 操作和储存温度:-55 to 175℃ 漏源击穿电压:150V 栅极阈值电压:3V 零栅极电压漏 阅读全文
posted @ 2023-05-19 16:54 强元芯 阅读(83) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z 本文主要介绍了新型IPB107N20N3G功率MOSFET的性特点及其在各种应用场景中的优势。全文分为四个方面进行阐述: 1、IPB107N20N3G功率MOSFET的基本性能参数 IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET,具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。首先,它的 阅读全文
posted @ 2023-05-19 16:54 强元芯 阅读(121) 评论(0) 推荐(0) 编辑