摘要：
编辑-Z ASEMI低压MOS管AO3415参数： 型号：AO3415 漏极-源极电压（VDS）：20V 栅源电压（VGS）：8V 漏极电流（ID）：4A 功耗（PD）：1.4W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：55mΩ 二极管正向电压（VSD）：1 阅读全文
摘要：
编辑-Z AO3400在SOT-23封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为28mΩ，是一款N沟道低压MOS管。AO3400的最大脉冲正向电流ISM为30A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400功耗（PD）为1.4W。AO3400的电性 阅读全文