摘要: 编辑-Z 12N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.68Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N65的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N65功耗(PD)为140W。12N65的电性参数 阅读全文
posted @ 2023-03-10 17:00 强元芯 阅读(250) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z ASEMI高压MOS管10N65参数: 型号:10N65 漏极-源极电压(VDS):650V 栅源电压(VGS):30V 漏极电流(ID):10A 功耗(PD):65W 储存温度(Tstg):-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.9Ω 二极管正向电压(VSD):1 阅读全文
posted @ 2023-03-10 17:00 强元芯 阅读(317) 评论(0) 推荐(0) 编辑