摘要: 编辑-Z ASEMI高压MOS管7N65参数: 型号:7N65 漏极-源极电压(VDS):650V 栅源电压(VGS):30V 漏极电流(ID):7A 功耗(PD):50W 储存温度(Tstg):-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):1.35Ω 二极管正向电压(VSD):1.4 阅读全文
posted @ 2023-03-09 17:10 强元芯 阅读(346) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z 4N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为2.5Ω,是一款N沟道高压MOS管。4N65的最大脉冲正向电流ISM为16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N65功耗(PD)为50W。4N65的电性参数是:正向电流 阅读全文
posted @ 2023-03-09 17:09 强元芯 阅读(342) 评论(0) 推荐(0) 编辑