摘要：
编辑-Z ASEMI高压MOS管20N60参数： 型号：20N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.4Ω 二极管正向电压（VSD）： 阅读全文
摘要：
编辑-Z 16N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.2Ω，是一款N沟道高压MOS管。16N60的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N60功耗（PD）为134.4W。16N60的电性参 阅读全文