摘要: 编辑-Z 12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.7Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗(PD)为125W。12N60的电性参数是: 阅读全文
posted @ 2023-03-07 16:33 强元芯 阅读(210) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 编辑-Z ASEMI高压MOS管10N60参数: 型号:10N60 漏极-源极电压(VDS):600V 栅源电压(VGS):30V 漏极电流(ID):10A 功耗(PD):125W 储存温度(Tstg):-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.85Ω 二极管正向电压(VSD) 阅读全文
posted @ 2023-03-07 16:32 强元芯 阅读(356) 评论(0) 推荐(0) 编辑