摘要：
编辑-Z ASEMI高压MOS管7N60参数： 型号：7N60 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：7A 功耗（PD）：125W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω 二极管正向电压（VSD）：1.5 阅读全文
摘要：
编辑-Z 4N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。4N60的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗（PD）为104W。4N60的电性参数是：正向电流 阅读全文