摘要：
编辑-Z ASEMI低压MOS管20N06参数： 型号：20N06 漏极-源极电压（VDS）：60V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：45W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ 二极管正向电压（VSD）：1. 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASE40N50SH在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH功耗（PD）为 阅读全文