摘要：
编辑-Z ASE0510SH在SOT-89封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为140mΩ，是一款N沟道中低压MOS管。ASE0510SH的最大脉冲正向电流ISM为15A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE0510SH功耗（PD）为2W。 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE65R330参数： 型号：ASE65R330 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：12.5A 功耗（PD）：30.9W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：330mΩ 二 阅读全文