摘要：
编辑-Z ASE140N04在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为4mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE140N04的最大脉冲正向电流ISM为400A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE140N04功耗（PD）为100W 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI高压MOS管60R380参数： 型号：60R380 漏极-源极电压（VDS）：600V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：11A 功耗（PD）：65W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.38Ω 二极管正向电压（VSD 阅读全文