摘要：
编辑-Z ASE50N06在TO-252-2L封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为15mΩ，是一款N沟道低压MOS管。ASE50N06的最大脉冲正向电流ISM为200A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE50N06功耗（PD）为85W。 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI低压MOS管ASE50N03参数： 型号：ASE50N03 漏极-源极电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：20V 漏极电流（ID）：50A 功耗（PD）：60W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：5.8mΩ 二极管正向电压（ 阅读全文