摘要：
编辑-Z ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为2.5Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗（PD）为50W 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE20N65SE参数： 型号：ASE20N65SE 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极 阅读全文