摘要：
编辑-Z ASE20N60在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.4Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE20N60的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE20N60功耗（PD）为239W。AS 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI低压MOS管50N06S参数： 型号：50N06S 漏极-源极电压（VDS）：60V 栅源电压（VGS）：25V 漏极电流（ID）：50A 功耗（PD）：85W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：15mΩ 二极管正向电压（VSD）： 阅读全文