摘要：
编辑-Z ASEMI高压MOS管4N65SE参数： 型号：4N65SE 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：4A 功耗（PD）：50W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：2.5Ω 二极管正向电压（VSD）： 阅读全文
摘要：
编辑-Z 安森美FGH60N60SFD原装IGBT参数： 型号：FGH60N60SFD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 二极管正向电流（IF）：60A 最大功耗（PD）：378W 工作结温度（TJ）：−55 to +15 阅读全文