摘要：
编辑-Z ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。A 阅读全文
摘要：
编辑-Z 安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数： 型号：FGH60N60SMD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A 最大功耗（PD）：600W 储存温度范围（TSTG）：− 阅读全文