摘要：
编辑-Z ASEMI中低压MOS管18N20参数： 型号：18N20 漏极-源极电压（VDS）：200V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流（ID）：18A 功耗（PD）：83W 储存温度（Tstg）：-55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.18Ω 二极管正向电压（VSD 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASE12N65SE在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.68Ω，是一款N沟道高压MOS管。ASE12N65SE的最大脉冲正向电流ISM为48A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE12N65SE功耗（P 阅读全文