摘要：
编辑-Z ASEMI中低压MOS管ASE60N10参数： 型号：ASE60N10 漏极-源极电压（VDS）：100V 栅源电压（VGS）：±20V 漏极电流（ID）：60A 功耗（PD）：160W 储存温度（Tstg）：-55 to 175℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ 二极管正向 阅读全文
摘要：
编辑-Z 20N65在ITO-220AB封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为0.42Ω，是一款N沟道高压MOS管。20N65的最大脉冲正向电流ISM为80A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N65功耗（PD）为239W。20N65的电 阅读全文