摘要：
编辑-Z 安森美FGH60N60车规级IGBT参数： 型号：FGH60N60 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 二极管正向电流（IF）：60A 最大功耗（PD）：600W 工作结温度（TJ）：−55 to +175℃ 集电 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI低压MOS管AO3401参数： 型号：AO3401 封装：SOT-23 漏极-源极电压（VDS）：30V 栅源电压（VGS）：±12V 连续漏电流（I）：4.2A 脉冲漏极电流（IDM）：30A 功耗（PD）：1.4W 接头和储存温度范围（TJ, TSTG）：-55 to 150 阅读全文