摘要：
编辑-Z 艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数： 型号：IXYB82N120C3H1 漏极-源极电压（VCES）：1200V 连续漏电流（IC）：82A 功耗（PC）：1040W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA 输入电容（CISS） 阅读全文
摘要：
编辑-Z 艾赛斯硅肖特基二极管DSA300I100NA参数： 型号：DSA300I100NA 最大重复反向阻断电压（VRRM）：100V 反向电流、漏极电流（IR）：3mA 正向电压降（VF）：0.99V 平均正向电流（IF）：300A 总功耗（Ptot）：830W 最大正向浪涌电流（IFSM）：4 阅读全文