摘要：
编辑-Z 艾赛斯车规级MOS管IXFK32N100P参数： 型号：IXFK32N100P 漏极-源极电压（VDS）：1000V 连续漏电流（ID）：32A 功耗（PD）：960W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：50uA 漏极源导通电阻RDS(ON)：3 阅读全文
摘要：
编辑-Z 艾赛斯整流二极管DSP25-12A参数： 型号：DSP25-12A 最大重复反向阻断电压（VRRM）：1200V 反向电流、漏极电流（IR）：40uA 正向电压降（VF）：1.23V 平均正向电流（IF）：25A 总功耗（Ptot）：160W 最大正向浪涌电流（IFSM）：300A 结电容 阅读全文