摘要：
编辑-Z 艾赛斯车规级MOS管IXTY02N50D-TRL参数： 型号：IXTY02N50D-TRL 漏极-源极电压（VDS）：500V 连续漏电流（ID）：200mA 功耗（PD）：25W 工作结温度（TJ）：-55 to +150℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：10uA 漏极源导通电阻RDS 阅读全文
摘要：
编辑-Z 力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数： 型号：LSIC1MO120E0080 漏极-源极电压（VDS）：1200V 连续漏电流（ID）：25A 功耗（PD）：214W 工作结温度（TJ）：-55 to +175℃ 零栅极电压漏极电流（IDSS）：1uA 漏极源导通电阻RDS 阅读全文