摘要：
编辑-Z STW78N65M5用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为1uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容（Ciss 阅读全文
摘要：
编辑-Z STW43NM60ND用的TO-247封装，是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω，零栅极电压漏极电流（IDSS）为10uA，栅源漏电流（IGSS）为100nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW43NM60ND的输入电容（ 阅读全文