摘要:
编辑-Z STW78N65M5用的TO-247封装,是意法一款汽车级MOS管。STW78N65M5的漏源导通电阻RDS(on)为0.024Ω,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,栅源漏电流(IGSS)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW78N65M5的输入电容(Ciss 阅读全文
摘要:
编辑-Z STW43NM60ND用的TO-247封装,是意法一款汽车级MOS管。STW43NM60ND的漏源导通电阻RDS(on)为0.075Ω,零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA,栅源漏电流(IGSS)为100nA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。STW43NM60ND的输入电容( 阅读全文