摘要:
编辑-Z ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数: 型号:STW78N65M5 连续漏极电流(ID):69A 功耗(Ptot):450W 贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS:650V 栅极阈值电压V(GS)th:4V 零栅极电压漏极 阅读全文
摘要:
编辑-Z ST/意法STW43NM60ND车规级MOS管参数: 型号:STW43NM60ND 连续漏极电流(ID):35A 功耗(Ptot):255W 贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS:600V 栅极阈值电压V(GS)th:4V 零栅极电压漏极 阅读全文