摘要: 编辑-Z IPW65R080CFDA英飞凌MOS管参数: 型号:IPW65R080CFDA 连续漏极电流(ID):137A 功耗(Ptot):391W 贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS:650V 栅极阈值电压V(GS)th:4V 零栅极电压漏极 阅读全文
posted @ 2022-10-12 16:05 强元芯 阅读(162) 评论(0) 推荐(0) 编辑