2022年10月11日
英飞凌IPW65R110CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理
摘要： 编辑-Z IPW65R110CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R110CFDA 连续漏极电流（ID）：99.6A 功耗（Ptot）：277.8W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电 阅读全文
posted @ 2022-10-11 15:42 强元芯 阅读(114) 评论(0) 推荐(0) 编辑
英飞凌IPW65R150CFDA车规MOS，原厂渠道ASEMI代理
摘要： 编辑-Z IPW65R150CFDA英飞凌MOS管参数： 型号：IPW65R150CFDA 连续漏极电流（ID）：72A 功耗（Ptot）：195.3W 贮存温度和工作结温（Tstg，Tj）：-40 ~ 150℃ 漏源击穿电压V(BR)DSS：650V 栅极阈值电压V(GS)th：4V 零栅极电压漏 阅读全文
posted @ 2022-10-11 15:42 强元芯 阅读(282) 评论(0) 推荐(0) 编辑