摘要：
编辑-Z ASEMI新能源快恢复桥EGBJ5006/HGBJ5006参数： 型号：EGBJ5006/HGBJ5006 最大重复峰值反向电压（VRRM）：600V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：420V 反向击穿电压（VB）：620V 平均整流输出电流（IO）：50A 峰值正向浪涌电流（IFSM 阅读全文
摘要：
编辑-Z MR760在BUTTON封装里采用的1个芯片，是一款高压大电流整流二极管。MR760的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为25uA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MR760采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。MR760的电性参数是：正向电流(Io)为6A，反向耐压 阅读全文