摘要：
编辑-Z ASEMI整流桥GBU8M参数： 型号：GBU8M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：800V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：560V 最大直流阻断电压（VDC）：800V 最大平均正向整流输出电流（IF）：8.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：200A 每个元件的典型热阻（ReJ 阅读全文
摘要：
编辑-Z GBU8K在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超薄整流扁桥。GBU8K的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU8K采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU8K的电性参数是：正向电流(Io)为 阅读全文