摘要：
编辑-Z ASEMI快恢复二极管U1M参数： 型号：U1M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：800V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 每个元件的典型热阻（ReJ 阅读全文
摘要：
编辑-Z DHE1M在SOD-123封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款高效恢复二极管。DHE1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。DHE1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。DHE1M的电性参数是：正向电流(Io) 阅读全文