摘要：
编辑-Z 20N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。20N10的脉冲正向电流ISM为60A，连续漏极电流(ID)为20A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。20N10的功耗(PD)为105W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.12Ω。 阅读全文
摘要：
编辑-Z ASEMI场效应管12N65参数： 型号：12N65 漏源电压（VDSS）：650V 连续漏极电流（ID）：12A 栅极阈值电压（VGS(TH)）：±30V 功耗（PD）：140W 漏源漏电流（IDSS）：10uA 栅极阈值电压（VGS(TH)）：4V 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）： 阅读全文