摘要：
编辑-Z 7N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N65的功耗(PD)为50W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为1.25Ω。7N65的电性参 阅读全文
摘要：
编辑-Z 7N60极限参数： （1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额； （2）IDM，最大脉冲漏源电流，7N60这个参数会随着结温的升高而降额； （3）PDSM，最大耗散功率，是指7N6 阅读全文