05 2022 档案
摘要：编辑-Z 10N65在TO-220F封装里的栅极阈值电压(VGS)为30V，是一款高速大电流MOS管。10N65的浪涌电流Ifsm为40A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N65的功耗(PD)是65W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.8
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摘要：编辑-Z 为什么要检测mos管的好坏？ 为了保护板上的其他元件，在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要。mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚。 当使用有故障的MOS管时，会发生漏极到栅极的短路，对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈，这也会影响栅极端子。电压到达该
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摘要：编辑-Z 肖特基二极管MBR30300CT有许多有用的应用，从整流、信号调节、开关、电压钳位、太阳能电池到TTL 和CMOS逻辑门，主要是因为它的低功耗和快速的开关速度， 那么ASEMI肖特基二极管MBR30300CT的作用与应用具体有哪些呢？ 射频混频器和检波二极管 肖特基二极管MBR30300C
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摘要：编辑-Z MBR20300FCT在TO-220F封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR20300FCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为0.1uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MBR20300FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR2030
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摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR20300CT参数： 型号：MBR20300CT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：300V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：210V 最大直流阻断电压（VDC）：300V 最大平均正向整流输出电流（IF）：20A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A 工
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摘要：编辑-Z 很多电子产品或者LED灯上面都有二极管，二极管的种类也很多。下面就来介绍一下整流二极管MUR60120PT的作用是什么，ASEMI整流二极管MUR60120PT并联电容有什么用？ 整流二极管的作用是什么 MUR60120PT的作用是将交流电转换为直流电作为半导体配件，具有明显的单向导电性。
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摘要：编辑-Z ASE60DQ120BG在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款大功率高耐压二极管。ASE60DQ120BG的浪涌电流Ifsm为540A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE60DQ120BG采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。ASE60DQ
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摘要：编辑-Z GBPC2510在GBPC-4封装里采用的4个芯片，是一款单相整流方桥。GBPC2510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC2510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBPC2510的电性参数是：正向电流(Io
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥GBPC1510参数： 型号：GBPC1510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：15A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：300A 每个元件的典
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摘要：编辑-Z 随着国家大力推进环保改革，各项措施不断出台，人们对垃圾处理器的使用需求也越来越大。尤其是最近，垃圾分类在全国展开，垃圾粉碎机也随着需求开始畅销。时至今日，很多企业都在整流桥的选型上下了不少功夫。要电机的正常高效转动，整流桥是必不可少的。其中，整流桥KBU2510可以说是大显身手。为什么说K
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摘要：编辑-Z KBPC5010在KBPC-4封装里采用的4个芯片，是一款单相整流方桥。KBPC5010的浪涌电流Ifsm为400A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC5010采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC5010的电性参数是：正向电流(I
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摘要：编辑-Z 为了获得稳定的直流电压，需要对交流电压进行整流。整流是将交流电转换为直流电。可以整流的器件是二极管，因为二极管具有单向导电性，固有地决定了电流的方向。而KBPC610整流桥是由二极管组成的，那么ASEMI整流桥KBPC610的整流电路是怎样的呢？ 当阻抗串联一个二极管时，负载电阻可以在一个
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摘要：编辑-Z 光伏/风电/储能快速发展带动IGBT、快恢复整流桥等功率半导体需求旺盛 在“碳中和”的背景下，光伏和风力发电在能源结构中的比重逐渐增加。但由于光伏、风电等新能源发电的不稳定性，出现弃风弃光等问题，这也是对电网容量的严峻考验。新能源发电电化学储能的安装，可以有效稳定、吸收和平滑新能源发电的输
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摘要：编辑-Z 整流桥厂家ASEMI的整流桥型号琳琅满目，太多的型号很多用户在选型的时候就犯难了，下面是整流桥厂家ASEMI的插件整流桥和贴片整流桥型号大全，给大家做一个类别整理。 0.5A-0.8A 50V~1000V 贴片整流桥堆 MBS-4 贴片整流桥：MB2S，MB4S，MB6S，MB8S，MB1
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摘要：编辑-Z ABS10参数描述 型号：ABS10 封装：ABS-4 电性参数：1A 1000V 正向电压(VF)：1.05V 浪涌电流Ifsm：30A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 ABS210参数描述 型号：ABS210 封装：ABS-4 电性参数：2A 10
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摘要：编辑-Z KBP210参数描述 型号：KBP210 封装：KBP-4 电性参数：2A 1000V 正向电压(VF)：1.1V 浪涌电流Ifsm：60A 漏电流(Ir)：10uA 工作温度：-55~+150℃ 引线数量：4 MB6S参数描述 型号：MB6S 封装：MBS-4 电性参数：1A 600V
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摘要：编辑-Z 在电源系统中，MOS管可以看作是一个电气开关。当在N沟道MOS管ASE10N65SE的栅极和源极之间施加正电压时，其开关导通。打开时，电流可以通过开关从漏极流向源极。那么选用MOS管ASE10N65SE-ASEMI应当注意哪几方面呢？ 1、确定额定电流 根据电路配置，这个额定电流应该是负载
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摘要：编辑-Z RS808在RS-4封装里采用的4个芯片，是一款整流扁桥。RS808的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS808采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS808的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为800V，正向
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摘要：编辑-Z RS407在RS-4封装里采用的4个芯片，是一款薄体扁形整流桥。RS407的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。RS407采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。RS407的电性参数是：正向电流(Io)为4A，反向耐压为1000
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摘要：编辑-Z 整流桥是电源整流电路中非常重要的器件之一，起到将交流电转换为直流电的作用。在RS607实际应用中，部分用户由于缺乏相关认知知识，不知道如何使用整流桥。本文将解答ASEMI整流桥RS607会改变电路的电压吗？整流桥后输出电压为多少等相关问题。 一、整流桥RS607原则上不改变电路中的电压 整
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摘要：编辑-Z M7二极管坏了能用A7二极管代替吗？A7二极管和M7二极管有什么区别？M7、A7是一样的吗？哪种好？关于整流二极管M7、A7这两种料号，很多人都有这样的疑问，那么它们之间到底有什么联系呢？接下来，针对A7二极管和M7二极管有什么区别详细地阐述它们之间的差异。 A7二极管参数： 型号：A7二
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摘要：编辑-Z 贴片二极管也叫晶体二极管，简称二极管。此外，还有早期的真空电子二极管。S4贴片二极管是一种电流单向传导的电子设备，半导体二极管内部有一个PN结和两个引线端子。S4贴片二极管根据施加电压的方向具有单向电流传导。 S4贴片二极管是由p型半导体和n型半导体烧结而成的p-n结界面。界面两侧形成空间
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摘要：编辑-Z ASEMI肖特基二极管MBR30300VCT参数： 型号：MBR30300VCT 最大重复峰值反向电压（VRRM）：300V 最大平均正向整流输出电流（IF）：30A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：250A 每个元件的典型热阻（ReJA）：4.5℃/W 工作结和储存温度范围（TJ, TST
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摘要：编辑-Z MBR30300FCT在TO-220F封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR30300FCT的浪涌电流Ifsm为180A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MBR30300FCT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR30300F
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摘要：编辑-Z MBR30300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款30A 300V肖特基二极管。MBR30300CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR30300CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR303
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摘要：编辑-Z 肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性： 从VI特性可以看出，肖特基势垒二极管MBR20300FCT的VI特性与普通PN结二极管相似，但仍存在以下区别。 肖特基势垒二极管的正向压降低于普通PN结二极管。由硅制成的肖特基势垒二极管的正向压降呈现出0.3伏至0.5伏的正向压降。 正向
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摘要：编辑-Z MUR60120PT在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款大功率高耐压整流二极管。MUR60120PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MUR60120PT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR60120PT的电
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摘要：编辑-Z MBR20300CT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款高压大电流肖特基二极管。MBR20300CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.1mA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MBR20300CT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR20300C
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摘要：编辑-Z ASE60DQ120BG是一种将交流电能转换为直流电能的半导体器件。通常它包含一个带有正负端子的PN结，二极管最重要的特性是单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，从负极流出。那么ASEMI整流二极管ASE60DQ120BG怎么选用和代换呢？ ASE60DQ120BG的选用： 整
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摘要：编辑-Z APT60DQ120BG在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款大功率高耐压整流二极管。APT60DQ120BG的浪涌电流Ifsm为540A，漏电流(Ir)为100uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。APT60DQ120BG采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。APT60
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摘要：编辑-Z AMS1117-5.0是一款正向低压差稳压器，在1A电流时压降为1.2V。AMS1117有两个版本：固定输出版本和可调版本，固定输出电压为1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.0V、3.3V、5.0V，精度为1%；固定输出电压为1.2V的准确度为2%。AMS1117-5.0集成过热
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摘要：编辑-Z AMS1117-3.3是一款输出电压为3.3V的正向低压差稳压器，适用于高效线性稳压器、开关电源稳压器、电池充电器、有源小型计算机系统接口端子、笔记本电脑供电仪器的电源管理电池。下面给大家介绍ASEMI线性稳压电源芯片AMS1117-3.3参数及接线电路图。 基本参数： 绝对最大额定值：
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摘要：编辑-Z 整流桥又称桥堆，是由2个或4个二极管组成的整流器件。这种桥堆主要包括半桥和全桥两种，半桥可分为正半桥和负半桥两类别。GBPC2510整流桥是属于桥式全桥，那么ASEMI整流桥GBPC2510的作用是什么？ 选择GBPC2510整流桥时，要注意整流电路和工作电压。整流桥堆GBPC2510通常
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摘要：编辑-Z ASEMI整流桥KBU2510参数： 型号：KBU2510 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF）：25A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：400A 每个元件的典型热
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摘要：编辑-Z GBPC1510在GBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款单相整流方桥。GBPC1510的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBPC1510采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBPC1510的电
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摘要：编辑-Z KBPC610在KBPC-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是88MIL，是一款小体方桥。KBPC610的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。KBPC610采用光阻GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。KBPC610的电性参数是：正
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摘要：编辑-Z 想知道KBPC5010整流桥接线方法吗？在了解他的接线方法之前，不妨先了解一下KBPC5010是怎么测量好坏的，测量好坏的重要性不亚于接线方法！ KBPC5010参数描述 型号：KBPC5010 封装：KBPC-4 特性：单相整流方桥 电性参数：50A 1000V 芯片材质：光阻GPP 正
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浙公网安备 33010602011771号