摘要:
编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装,是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A,最大功耗(PD)为320W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS,关断延迟时间(td(off)) 阅读全文
摘要:
编辑-Z 35P03采用的TO-252封装,是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A,最大功耗(PD)为53W,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS,关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数 阅读全文