摘要：
编辑-Z MP40N120采用的TO-247封装，是一款沟槽栅场截止型IGBT场效应管。MP40N120的脉冲集电极电流(ICM)为60A，最大功耗(PD)为320W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MP40N120的开启延迟时间(td(on))为181NS，关断延迟时间(td(off)) 阅读全文
摘要：
编辑-Z 35P03采用的TO-252封装，是一款MOSFET场效应管。35P03的漏极电流脉冲(IDM)为-80A，最大功耗(PD)为53W，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。35P03的开启延迟时间(td(on))为15NS，关断延迟时间(td(off))为44NS。35P03的电性参数 阅读全文