摘要：
7N80详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N80 漏源电压（VDS）：800V 栅源电压（VGS）：±30V 漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A 漏极脉冲电流（IDM）：28A 耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W 雪崩电流（IAR）：7A 贮存温度范围（TSTG）：-55 阅读全文
摘要：
编辑-Z 7N60详细参数： 型号：ASEMI场效应管7N60 漏源电压（VDSS）：600V 栅源电压（VGSS）：±30V 持续漏极电流（ID）：7A 脉冲漏极电流（IDM）：28A 雪崩电流（IAR）：7A 工作结点和存储温度范围（TJ,TSTG）：-55 to +150℃ 最大功耗（PD）： 阅读全文