摘要：
编辑-Z US1G快恢复二极管的工作原理与普通二极管相同，但普通二极管在开关状态下的反向恢复时间较长，约为4～5ms，不能满足高频开关电路的要求。快恢复二极管US1G有一个重要参数决定其性能——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是二极管从正向导通状态快速切换到截止状态，从输出脉冲下降到零线，到反向电源 阅读全文
摘要：
编辑-Z US1M在SMA封装里采用的1个芯片，是一款小电流、贴片高效恢复二极管。US1M的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。US1M采用GPP硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。US1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V 阅读全文