ASEMI代理安森美MOS管FQL40N50参数,FQL40N50描述
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FQL40N50参数描述:
型号:FQL40N50
漏源电压VDSS:500V
漏极电流ID:40A
漏极电流-脉冲IDM:160A
栅极-源极电压VGSS:±30V
功耗PD:460W
操作和储存温度范围TJ, TSTG:-55 to +150℃
零栅极电压漏极电流IDSS:1uA
栅极阈值电压VGS(th):5V
静态漏源导通电阻RDS(on):0.085Ω
输入电容Ciss:5800 pF
输出电容Coss:880 pF
漏极-源极二极管正向电压VSD:1.4V
反向恢复时间trr:520 ns
FQL40N50描述:
这种N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS技术生产的。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
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