ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFH4N100Q，IXFH4N100Q参数

编辑-Z

IXFH4N100Q参数描述：

型号：IXFH4N100Q

VDSS：1000V

VDGR：1000V

VGS：±20

ID25：4A

IDM：16A

PD：150W

TJ，Tstg：-55 to +150℃

Weight：6g

VGS(th)：5V

IGSS：±100 nA

IDSS：50uA

RDS(on)：3Ω

Ciss：1050pF

IS：4A

ISM：16A

VSD：1.5V

Trr：250 ns

 

 

IXFH4N100Q特征：

IXYS先进的低Qg工艺

低栅极电荷和电容

-更易于驾驶

-更快的切换

国际标准包装

RDS低（打开）

额定无阻尼感应开关（UIS）

模塑环氧树脂符合UL94V-0可燃性分类