ASEMI代理Infineon英飞凌IPB072N15N3G原厂MOS管

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IPB072N15N3G参数描述：

型号：IPB072N15N3G

持续漏极电流：100A

脉冲漏极电流：400A

雪崩能量，单脉冲：780 mJ

栅极-源极电压：±20V

功率耗散：300W

操作和储存温度：-55 to 175℃

漏源击穿电压：150V

栅极阈值电压：3V

零栅极电压漏极电流：0.1µA

栅极-源极泄漏电流：1nA

漏极源导通状态电阻：6.2mΩ

栅极电阻：2.3Ω

输入电容：5470pF

输出电容：638pF

开通延迟时间：25ns

关断延迟时间：46ns

栅极平台电压：5.5V

二极管连续正向电流：100A

二极管脉冲电流：400A

二极管正向电压：1V

反向恢复时间：146ns

 

 

IPB072N15N3G特征：

N通道，正常电平

优秀的栅极电荷x R DS（on）产品（FOM）

接通电阻非常低R DS（接通）

175°C工作温度

无铅电镀；符合RoHS

根据JEDEC对目标应用进行鉴定

适用于高频开关和同步整流

无卤素，符合IEC61249-2-21