ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管

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IPB64N25S3-20参数描述:

型号:IPB64N25S3-20

持续漏极电流:64A

脉冲漏极电流:256A

雪崩电流,单脉冲:27A

栅极-源极电压:±20V

功率耗散:300W

操作和储存温度:-55 to +175℃

漏源击穿电压:250V

栅极阈值电压:3V

零栅极电压漏极电流:0.1µA

栅极-源极泄漏电流:1nA

漏极源导通状态电阻:17.5mΩ

输入电容:5240 pF

输出电容:2900 pF

开通延迟时间:18ns

关断延迟时间:45ns

二极管连续正向电流:64A

二极管脉冲电流:256A

二极管正向电压:1V

反向恢复时间:174ns

 

 

IPB64N25S3-20特征:

N通道-增强模式

AEC合格

MSL1最高260°C峰值回流

175°C工作温度

绿色产品(符合RoHS标准)

100%雪崩测试

 

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