AO3400-ASEMI低压MOS管AO3400

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AO3400SOT-23封装里静态漏极源导通电阻(RDS(ON)28mΩ,是一款N沟道低压MOSAO3400的最大脉冲正向电流ISM30A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。AO3400功耗(PD1.4WAO3400的电性参数是:正向电流(Io)5.8A,漏极-源极击穿电压30V,二极管正向电压(VSD)1.2V,其中有3条引线。

 

AO3400参数描述

型号:AO3400

封装:SOT-23

特性:N沟道低压MOS

电性参数:5.8A 30V

正向电流(Io)5.8A

静态漏极源导通电阻RDS(ON)):28mΩ

功耗(PD):1.4W

二极管正向电压(VSD)1.2V

最大脉冲正向电流ISM30A

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

工作温度:-55~+150

引线数量:3

 

 

AO3400SOT-23封装系列。它的本体度为1.7mm加引脚长度为2.95mm,宽度为3.1mm,高度为1.3mm脚间距为1.9mm

 

以上就是关于AO3400-ASEMI低压MOSAO3400的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

posted @ 2023-03-15 16:33  强元芯  阅读(332)  评论(0编辑  收藏  举报