ASEMI低压MOS管SI2301参数,SI2301体积,SI2301尺寸
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ASEMI低压MOS管SI2301参数:
型号:SI2301
漏极-源极电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):8V
漏极电流(ID):2.3A
功耗(PD):1.25W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):120mΩ
二极管正向电压(VSD):1.2V
输入电容(Ciss):880pF
开启上升时间(tr):10nS
SI2301封装体积:
封装:SOT-23
总长度:2.95mm
本体长度:1.7mm
宽度:3.1mm
高度:0.5mm
脚间距:1.9mm
SI2301特征:
用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
坚固可靠
外壳材料:模压塑料