16N65-ASEMI高压MOS管16N65

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16N65TO-220封装里静态漏极源导通电阻(RDS(ON)0.55Ω,是一款N沟道高压MOS16N65的最大脉冲正向电流ISM64A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。16N65功耗(PD70W16N65的电性参数是:正向电流(Io)16A,漏极-源极击穿电压650V,二极管正向电压(VSD)为1.5V,其中有3条引线。

 

16N65参数描述

型号:16N65

封装:TO-220

特性:N沟道高压MOS

电性参数:16A 650V

正向电流(Io)16A

静态漏极源导通电阻RDS(ON)):0.55Ω

功耗(PD):70W

二极管正向电压(VSD)1.5V

最大脉冲正向电流ISM64A

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

工作温度:-55~+150

引线数量:3

 

 

16N65TO-220封装系列。它的本体度为15.87mm加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm脚间距为2.54mm

 

以上就是关于16N65-ASEMI高压MOS16N65的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

posted @ 2023-03-13 16:39  强元芯  阅读(62)  评论(0编辑  收藏  举报