ASEMI高压MOS管7N65参数,7N65图片,7N65大小
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ASEMI高压MOS管7N65参数:
型号:7N65
漏极-源极电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):30V
漏极电流(ID):7A
功耗(PD):50W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):1.35Ω
二极管正向电压(VSD):1.4V
输入电容(Ciss):1000pF
二极管反向恢复时间(trr):293nS
7N65封装大小:
封装:TO-220
总长度:28.57mm
本体长度:15.87mm
宽度:10.66mm
高度:5.0mm
脚间距:2.54mm
7N65特征:
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的门电荷:Qg=29nC(典型值)。
BVDSS=650V,ID=7A
RDS(开):1.35Ω (最大值)@VG=10V
100%雪崩测试