12N60-ASEMI高压MOS管12N60
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12N60在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.7Ω,是一款N沟道高压MOS管。12N60的最大脉冲正向电流ISM为48A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。12N60功耗(PD)为125W。12N60的电性参数是:正向电流(Io)为12A,漏极-源极击穿电压为600V,二极管正向电压(VSD)为1.5V,其中有3条引线。
12N60参数描述
型号:12N60
封装:TO-220
特性:N沟道高压MOS管
电性参数:12A 600V
正向电流(Io):12A
静态漏极源导通电阻(RDS(ON)):0.7Ω
功耗(PD):125W
二极管正向电压(VSD):1.5V
最大脉冲正向电流ISM:48A
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3
12N60是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm,加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm,脚间距为2.54mm。
以上就是关于12N60-ASEMI高压MOS管12N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。