4N60-ASEMI高压MOS管4N60

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4N60TO-220封装里静态漏极源导通电阻(RDS(ON)2.5Ω,是一款N沟道高压MOS4N60的最大脉冲正向电流ISM16A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。4N60功耗(PD104W4N60的电性参数是:正向电流(Io)4A,漏极-源极击穿电压600V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。

 

4N60参数描述

型号:4N60

封装:TO-220

特性:N沟道高压MOS

电性参数:4A 600V

正向电流(Io)4A

静态漏极源导通电阻RDS(ON)):2.5Ω

功耗(PD):104W

二极管正向电压(VSD)1.4V

最大脉冲正向电流ISM16A

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

工作温度:-55~+150

引线数量:3

 

 

4N60TO-220封装系列。它的本体度为15.87mm加引脚长度为28.57mm,宽度为10.66mm,高度为5.0mm脚间距为2.54mm

 

以上就是关于4N60-ASEMI高压MOS4N60的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

posted @ 2023-03-06 17:15  强元芯  阅读(206)  评论(0编辑  收藏  举报