ASEMI低压MOS管20N06参数，20N06体积，20N06大小

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ASEMI低压MOS管20N06参数：

型号：20N06

漏极-源极电压（VDS）：60V

栅源电压（VGS）：20V

漏极电流（ID）：20A

功耗（PD）：45W

储存温度（Tstg）：-55 to 175℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ

二极管正向电压（VSD）：1.2V

输入电容（Ciss）：590pF

二极管反向恢复时间（trr）：29.5nS

 

 

20N06封装体积：

封装：TO-252-2L

总长度：10.35mm

本体长度：6.25mm

宽度：6.75mm

高度：2.4mm

脚间距：2.34mm

 

 

20N06特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=50nC（典型值）。

BVDSS=60V，ID=20A

RDS（开）:0.02Ω （最大值）@VG=10V

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