ASE0510SH-ASEMI的MOS管ASE0510SH

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ASE0510SHSOT-89封装里静态漏极源导通电阻(RDS(ON)140mΩ,是一款N沟道中低压MOSASE0510SH的最大脉冲正向电流ISM15A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE0510SH功耗(PD2WASE0510SH的电性参数是:正向电流(Io)5A,漏极-源极击穿电压100V,二极管正向电压(VSD)为1.2V,其中有3条引线。

 

ASE0510SH参数描述

型号:ASE0510SH

封装:SOT-89

特性:N沟道中低压MOS

电性参数:5A 100V

正向电流(Io)5A

静态漏极源导通电阻RDS(ON)):140mΩ

功耗(PD):2W

二极管正向电压(VSD)1.2V

最大脉冲正向电流ISM15A

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

工作温度:-55~+150

引线数量:3

 

 

ASE0510SHSOT-89封装系列。它的本体度为2.5mm加引脚长度为4.1mm,宽度为4.5mm,高度为1.49mm脚间距为1.5mm

 

以上就是关于ASE0510SH-ASEMIMOSASE0510SH的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

posted @ 2023-02-24 17:09  强元芯  阅读(21)  评论(0编辑  收藏  举报