ASE140N04-ASEMI低压MOS管ASE140N04

编辑-Z

ASE140N04TO-220F封装里静态漏极源导通电阻(RDS(ON)4mΩ,是一款N沟道MOSASE140N04的最大脉冲正向电流ISM400A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。ASE140N04功耗(PD100WASE140N04的电性参数是:正向电流(Io)140A,漏极-源极击穿电压40V,二极管正向电压(VSD)为1.2V,其中有3条引线。

 

ASE140N04参数描述

型号:ASE140N04

封装:TO-220F

特性:N沟道MOS

电性参数:140A 40V

正向电流(Io)140A

静态漏极源导通电阻RDS(ON)):4mΩ

功耗(PD):100W

二极管正向电压(VSD)1.2V

最大脉冲正向电流ISM400A

零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA

工作温度:-55~+175

引线数量:3

 

 

ASE140N04TO-220封装系列。它的本体度为16.07mm加引脚长度为29.25mm,宽度为10.36mm,高度为4.9mm脚间距为2.54mm

 

以上就是关于ASE140N04-ASEMI低压MOSASE140N04的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

posted @ 2023-02-23 16:52  强元芯  阅读(50)  评论(0编辑  收藏  举报